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第一三八一章 同意出口（第2页）

自从gca和尼康公司研发的90nm制程工艺的光刻机先后量产，财大气粗的intel、ibm、ti、amd和hp近水楼台先得月，先后定购了一条价值25亿美元（包括基建费用）的90nm制程工艺的半导体生产线。

一条180nm制程工艺的半导体生产线从22亿美元（包括基建费用）降到20亿美元，bsec如今也能量产250nm制程工艺的光刻机，孙健将40台（价值4亿美元）250nm制程工艺光刻机的生产订单交给bsec。

这条180nm制程工艺的半导体生产线规划安装20台gca生产的180nm制程工艺的光刻机和bsec生产的40台250nm制程工艺的光刻机，既能节约成本，光刻效果也不受影响。

bsec和gca都是孙健控股的公司，作为两家公司的法人兼董事长，手掌手背都是肉。

去年11月15日，中美两国签订了中国加入世贸组织的双边协定，中国去年的gdp达到1.19万亿美元，只占美国gdp的12.1%、日本的24.9%，按照全球经济总量的排名来看，中国位居全球第七，排在意大利之后。

美国的头号对手还是全球经济老二的日本，继续打压日本的半导体产业。

虽然鲲鹏软件集团在全球软件市场占据20%的市场份额，但还没有对美国软件产业造成实际性的威胁，美国商务部也不容许微软公司垄断美国软件市场。

美国曙光投资公司（atic）控股的gca成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业，研发的90nm制程工艺光刻机已经量产，但在65nm制程工艺上都遇到了无法克服的困难。

尼康光刻机研究院和gca光刻机研究院采用arf

193nm光源，研发一年多，毫无进展。

业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺，而157nm将成为主流光源技术，但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线，一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业，主张开发波长更低的157nm的f2准分子激光做为光源；二是gca和英特尔发起建立了euv

llc联盟，采用极紫外光源（euv）来提供波长更短的光源。

euv

llc联盟中除了gca、英特尔和牵头的美国能源部以外，还有摩托罗拉、amd、ibm，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。

gca光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发euv，gca前后投资了1.5亿美元，也没有取得成功，1997年7月自动放弃了研究。

1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发euv。

前世，英特尔邀请尼康和asml加入euv

llc联盟，但美国政府反对尼康加入，asml做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会，资金到位，技术入场，人才云集，euv

llc联盟也花了近20年的时间，第一台可量产的asml

euv样机才正式发布。

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